RC0402FR-0775KL全系列FWH-300C FWP-200C FWJ-200AHVC2P80FS11RHP020N06T100CDZVT2R5.6BSTFW3N150STF22NM60N

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|everspin 库存现货 Parellel MRAM MR4A08BCYS35
* 发布时间:2020/12/14

型 号:MR4A08BCYS35

品       牌:EVERSPIN

产品名称:MR4A08BCYS35

库存状态:国内大量库存

库存数量:100000

供货周期:2-4周

供应描述

Density Org. Part Number Pkg. Voltage Temp Tray T&R MOQ(pcs) / Tray MOQ(pcs)/ T&R
16Mb 1Mx16 MR4A16BYS35 54-TSOP 3.3V 0℃ to +70℃ 108 1,000 216 1,000
16Mb 1Mx16 MR4A16BCYS35 54-TSOP 3.3V -40℃ to +85℃ 108 1,000 216 1,000
16Mb 1Mx16 MR4A16BMA35 48-BGA 3.3V 0℃ to +70℃ 240 2,500 480 2,500
16Mb 1Mx16 MR4A16BCMA35 48-BGA 3.3V -40℃ to +85℃ 240 2,500 480 2,500
16Mb 2Mx8 MR4A08BYS35 44-TSOP 3.3V 0℃ to +70℃ 135 1,500 1,500 270
16Mb 2Mx8 MR4A08BCYS35 44-TSOP 3.3V -40℃ to +85℃ 135 1,500 1,500 270

 存储器SRAM非常适用于电池供电的高速和超低功耗的应用,如手持式扫描仪、掌上电脑、多功能蜂窝电话、机顶盒和WLAN等。
 SRAM不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。而DRAM(Dynamic Random Access Memory)每隔一段时间,要刷新充电一次,否则内部的数据即会消失,因此SRAM具有较高的性能,功耗较小,但是SRAM也有它的缺点,即它的集成度较低,相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积,但是SRAM却需要很大的体积。同样面积的硅片可以做出更大容量的DRAM,因此SRAM显得更贵。
 现将它的特点归纳如下:
◎优点,速度快,不必配合内存刷新电路,可提高整体的工作效率。
◎缺点,集成度低,掉电不能保存数据,功耗较大,相同的容量体积较大,而且价格较高,少量用于关键性系统以提高效率。


我公司是十年专业从事半导体集成电路销售与服务的一级代理商。长时间的经营,公司积累了大量的现货库存,并在美洲、欧洲、亚洲等地建立了良好的供货渠道,使得我们公司具有非常有竞争力的优势价格。 公司主要经营的品牌有:JSC(EMLSI)、IPSILOG、BOYA、EVERSPIN、NETSOL(S6R1008V1A-LI10)、ISOCOME、  PARAGON、SINOCHIP、UNIIC等,产品主要应用于IT、遥控、航空航天、通信、控制系统、汽车、卫星数字电视.机械.仪表和家电控制等等领域。

我公司专业代理JSC(EMLSL)、NETSOL(韩国sram)、EVERSPIN(mram)、isocom(光耦) 、IPSILOC(SPI-SRAM ) 等世界品牌,所有产品皆为原厂原装正品,更多详情请咨询我公司,我们将一一为您解答!